为了研究深亚微米 SOI工艺NMOS器件的瞬时剂量率效应，采用TCAD工具对0.13 μm SOI工艺 H型NMOS器件进行三维建模仿真。选取γ剂量率在1×108～1×1010 (Gy(Si)/s)的7个点，模拟了H型NMOS器件开关两种状态下的漏电流及体接触端电流与γ剂量率之间的数值关系。从模拟结果可以看出，γ剂量率在小于5×109 Gy(Si)/s的辐照时对器件影响很小。表明了该结构器件具有较强的抗瞬时剂量率辐射能力，为超大规模集成电路抗瞬时剂量率加固设计提供了依据。
2022-03-24 15:22:11
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选用SIMOX（Separation by Implantation of Oxygen）衬底材料，对全耗尽SOI CMOS工艺进行了研究，开发出了N+多晶硅栅全耗尽SOI CMOS器件及电路工艺，获得了性能良好的器件和电路。nMOS和pMOS的驱动电流都比较大，且泄漏电流很小，在工作电压为3V时，1.2μm 101级环振的单级延迟仅为50.5ps。
2022-01-05 20:58:41
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序言
1.集成电路的发展与意义
2.超大规模集成电路的优点
3.集成电路工艺分类
4.集成电路的规模
5.ASIC技术的发展
MOS器件和电路
1.MOS晶体管
2.nMOS晶体管的伏安特性
3.CMOS基本电路
集成电路的制造
1.概述
2.集成电路的基本工艺
3.nMOS集成电路加工过程
4.CMOS加工过程
5.成品率
6.集成电路经济分析
MOS电路基本特性和性能分析
4.1电阻估算
2.MOS器件的电容
3.延迟时间
4.反相器延时
5.多晶硅长线的影响
6.导电层的选用
7.大电容负载的驱动
8.噪声容限
9.电源功耗
10.体硅CMOS的可控硅闩锁效应
11.CMOS和nMOS的比较
12.MOS电路的按比例缩小原理
MOS电路设计过程
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电路设计及优化
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设计方法学和设计风格
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超大规模集成电路计算机辅助设计工具与环境
……
MAGIC——交互式VLSI版图编辑系统
……
实例研究
……
VLSI的新发展
2021-11-06 22:18:11
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以硅基器件为代表的半导体器件在电子信息技术及产业中的应用使人类社会已进入了信息化、网络化时代. 在全球信息化和经济全球化的进程中, 以通信、计算机、网络、家电为代表的信息技术和信息产业获得了迅猛发展，而信息技术的迅速发展依赖于半导体技术的迅猛发展，所以说，半导体技术是信息技术的基石。
2021-08-26 09:37:57
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