轻，MeV级暗物质（DM）是一种令人兴奋的DM候选物，目前的实验无法检测到。 锗（Ge）检测器利用内部电荷放大技术对由杂质电离产生的电荷载流子进行检测，是一种有前途的新技术，具有实验灵敏度，可检测MeV级DM。 我们分析了信号形成，电荷产生，电荷内部放大以及直接检测MeV级DM粒子的预计灵敏度的物理机制。 我们介绍了一种新颖的Ge检测器的设计，该检测器在氦气温度（？4 K）下能够使DM冲击中的杂质电离。 借助较大的局部电场，可以将电离的激发加速到大于Ge带隙的动能，这时它们可以创建额外的电子-空穴对，从而产生内在放大作用，以实现1/3的超低能量阈值 0.1 eV用于检测MeV规模的低质量DM颗粒。 相应地，这样的Ge探测器与1千克年的暴露将对DM质量为10 MeV /的DM核横截面为¼5Â10 -45Âcm 2的高灵敏度。 c 2和DM质量为Â1 MeV / c 2的DM电子横截面为ÂÂÂÂÂÂÂÂÂÂÂ5ÂÂÂÂ10 -46Âcm 2。
2026-05-27 19:04:29
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红外宽光谱增透膜作为红外光学系统中的关键元件,其研究是一项比较复杂而备受重视的工作。针对风云二号辐射计锗窗口的宽光谱增透膜的要求,通过对镀膜材料在既定工艺条件下的光学参数的准确拟合,采用非对称等效层理论,并将材料光学参数拟合值代入到膜系的优化过程中,从而得到能够与实际情况接近的理论设计膜系。经过工艺优化后,研制出的宽光谱增透膜在要求的3.5-4.0 mm,6.3-7.6 mm,10.3-11.3 mm三个通道的平均透射率均大于96％,而11.5-12.5 mm通道的平均透射率大于94％。膜层能够经受住浸泡、高温高湿等一系列环模试验的检验,完全满足项目的使用要求。
2024-05-27 19:11:21
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设计了Si 衬底上Ge 薄膜共振腔增强型光电探测器的器件结构，理论计算了上下反射镜Si/SiO2的对数、吸收区Ge薄膜的厚度、有源区面积等参数对器件的外量子效率、带宽等性能的影响。当器件上下反射镜Si/SiO2的对数分别为2 和3，Ge 薄膜的厚度为0.46 μm ，器件的台面面积小于176 μm2 时，探测器在中心波长1.55 μm 处的外量子效率达到0.64，比普通结构提高了30 倍，同时器件的带宽达到40 GHz。
2023-03-04 23:58:56
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行业分类-作业装置- 一种氧化锌锗酸锌 铜锌基金属氧化物纳米光催化剂及其制备方法和应用.zip
2021-08-10 09:03:50
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