针对特殊有源区图形设计的Direct STI CMP工艺控制方式优化，张守龙，程秀兰，本文根据实际生产需求，解决了特殊有源区图形设计的产品在Direct STI CMP生产中无法通过终点探测技术(EPD)进行工艺控制的问题。通过分��
2021-10-08 16:46:22
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通过侧墙及有源区刻蚀工艺优化提升55nm器件工艺窗口的研究，顾林，，55纳米低功耗平台（55LP）的器件工艺窗口不足是长期存在的一个问题，主要表现为两个方面：1. 器件速度偏慢导致的晶圆边缘（W/E）Mbist�
2021-07-07 22:01:07
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在已有理论基础之上，采用严格的计算方法对激光器实现太赫兹(THz)波的辐射进行了可能性分析。利用传递矩阵法，通过Matlab软件计算了基于AlGaN/GaN材料体系的三能级量子级联激光器导带子能级与电子波函数的分布，详细分析了由该材料特有的极化效应所产生的极化场，得出了在近共振条件下偶极跃迁元、外加电场、垒层Al组分及导带子能级能级差之间的关系，并研究了它们对激光器性能的影响。分析结果表明，实现受激辐射的条件非常严格，Al组分取0.15或0.16时较为适宜，同时外加电场需大于63 kV/cm，但不能过大，这样才能满足近共振条件，实现粒子数反转达到太赫兹量子级联激射。在Al组分为0.15，外加电
2021-02-09 09:06:50
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