摘要：阐述了零电压开关技术(ZVS)在移相全桥变换器电路中的应用。分析了电路原理和各工作模态，给出了实验结果。着重分析了主开关管和辅助开关管的零电压开通和关断的过程厦实现条件。并且提出了相关的应用领域和今后的发展方向。　　关键词：零电压开关技术；移相控制；谐振变换器 0 引言　　上世纪60年代开始起步的DC／DC PWM功率变换技术出现了很大的发展。但由于其通常采用调频稳压控制方式，使得软开关的范围受到限制，且其设计复杂，不利于输出滤波器的优化设计。因此，在上世纪80年代初，文献提出了移相控制和谐振变换器相结合的思想，开关频率固定，仅调节开关之间的相角，就可以实现稳压，这样很好地解决了单纯

实现双有源桥变换器 单移相控制 ，参数已经设置好可以直接运行。

基于simulink搭建的移相全桥仿真模型，闭环控制算法

三相可控硅移相控制触发电路 TC787是采用先进IC工艺设计制作的单片集成电路，可单电源工作，亦可双电源工作，主要适用于三相可控硅移相触发电路和三相三极管脉宽调制电路，以构成多种调压调速和变流装置，该电路作为KJ785的换代产品，与目前国内市场上流行的KJ系列电路相比，具有功耗小，功能强，输入阻抗高，抗干扰性能好，移相范围宽，外接元件少等优点；而且装调简便，使用可靠

电子-可控硅移相控制原理.zip,单片机/嵌入式51单片机

蓄电池的输出电压在使用过程中是从高到低宽幅变化的,这对以蓄电池作为电源的电流变换器、特别是运用软开关技术的电流变换器产生了很多影响。以带饱和电感的移相全桥零电压开关ZVS-PWM直流变换器为研究对象,在对其7种工作模式进行具体分析的基础上,研究了输入电压幅值变化对其软开关条件实现、变压器副边占空比丢失及其整个直流变换系统变换效率的影响,并进行了仿真实验;对不同输入电压下的仿真实验数据进行对比和分析。结果表明,输入电压升高会严重影响滞后桥臂ZVS的实现,增大环流时间和环流电流;而输入电压下降则会增大占空比丢失,影响输出电压。

摘要：级联多电平高压大容量变流器已广泛应用于大型变频传动和电力系统，其各种拓扑结构和控制策略是研究的热点。文章对级联十一电平的电路结构和工作原理进行了介绍，用 Matlab/Simul ink软件在载波水平移相控制方式下进行系统仿真，并分析了输出电压波形和谐波成分。 关键词：载波移相控制：十一电平变频器；仿真   20世纪80年代以来，多电平逆变器以其独特的优势受到广泛的关注和研究，尤其是在大功率、高电压等场合得到了越来越广泛的应用。随着功率和电压等级不断提高，传统的两电平逆变器由于其高的dv/dr、EMI、开关频率和损耗等已经无法满足一些工业设计的要求。为了节约能源、提高生产效率、降低生产成本，采用多电平高压大容量变频器已成为人们的首选方案。与二极管箝位型和飞跨电容型多电平逆变器相比，级联多电平逆变器以其强大的优势，越来越受到人们的关注。级联多电平逆变器电路由独立直流电源的H桥作为基本功率单元级联而成，各个基本功率单元的直流电源压、均压问题3。级联多电平逆变器由于其对电网的谐波污染较少，输出的功率因数较高，尤其是不用再附加谐波滤波器和功率因数变换器，因而得到了较广泛的应用。   多电平逆变器的PWM调制技术的研究如同多电平拓扑结构一样关键。本文就针对级联十一电平的逆变电路采用载波移相调制的控制策略进行了仿真研究。

双有源桥变换器双移相控制动态特性优化方法 .pdf

大功率可控硅半导体器件具有使用寿命长、电压高、电流大、环境适应性强等优点，因此在高功率脉冲技术方面得到了广泛的应用。本文介绍一种基于专用集成触发芯片TCA785的晶闸管触发器， 同时介绍了一种以TCA785集成触发器为核心的大功率晶闸管触发电路系统的应用实例。

双重移相控制的双向全桥DC-DC 变换器 及其功率回流特性分析