JMTE6888A Datasheet Version 1.0.pdf

介绍MOS管的驱动

IR2104S半桥驱动MOS管电机驱动板设计心得: （1）驱动电路方案为经典的半桥驱动IR2104S加N沟道MOS管IR7843，MOSEFT内部有续流二极管，听说是寄生的（不知对不对），所以外加了肖特基二极管1N5819；（2）半桥驱动IR2104S自己可以通过自举升压来获得足够的栅压，但是觉得自举电容参数不好精准的确定，而且敏感，故另外外加升压电路，升压电路也为MC34063的经典电路，成熟稳定，用着放心。只是注意电感的选择，应该选择功率电感。（3）隔离也是很重要的，本来想采用光耦隔离，但是想到这是一个单电源系统，光耦隔离未必效果最佳，最重要的一点是，光耦必须选择高速光耦，上网一查，他们的封装都巨大，为了板子的美观（有可能也是节省板子面积少点打板费，这几天饭都吃不， 哎！）。最后选择的是74LVC245，以前都是用244的，第一次用这个，当然也是因为他的封装面积小。（4）正反转指示灯必须的加嘛。 我把磁悬浮的视频也给大家分享下吧，姑且当做是对本驱动板的测试视频吧，这个主控板是XS128，调好后会很稳定的。见“相关文件”下载磁悬浮代码。代码写得不是很好，很简单，仅供参考。 这个是视频: IR2104S半桥驱动MOS管电机驱动板实物展示: IR2104S半桥驱动MOS管电机驱动板电路 PCB截图:

主板维修视频

PWM3.3V控制H桥电路，可输出0-12V直流电压，电流可承受15A，光耦隔离，单片机输出PWM到光耦电路控制H桥电路

在飞思卡尔比赛中电机驱动肯定必不可少，在对比了大多数用集成的MOS驱动半桥设计中，根据芯片手册和芯片内部的结构做出的驱动不管是仿真还是实物都不尽人意，归根结底是高侧MOS的重载没有得到很好的解决，所谓的重载问题就是高侧MOS导通时压降很小，源极接近于VDD，而MOS要导通Vgs需要大于开启电压，这就导致了高侧MOS没有完全导通，还处于高阻区，电压大部分降在MOS上了。 一般的做法是利用自举电路将电压抬高，自举电路是直流与方波通过二极管和电容的耦合。个人感觉不好使，通过几次的改进，用三极管将隔离升压芯片的电压以上拉的形式导通MOS，因为导通MOS的栅极基本不需要电流，所以升压芯片没有太大的负担，NPN与PNP的配合使用，逻辑上也得到了很好的解决，即输入的控制信号逻辑同时期为1或0时4个MOS都不导通，避免同侧MOS将电源短路。这个电路已经同过理论、实践和模电老师的法眼（本人大二，大一时已自学模电），但是还是决定用7971，原因有的悲催。。。。。 将原理图和PCB共享，希望用得上的可以拿去用。或者改进。或者学习。或者指点一二。高手大伽肯定看不上。 出自北方民族大学

详细介绍MOS管的电容特性

IR2104S半桥驱动

利用mathcad写的关于mosfet损耗计算文件； 利用mathcad写的关于mosfet损耗计算文件； 利用mathcad写的关于mosfet损耗计算文件

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