使用MATHCAD计算MOS管损耗，通过导通和关断时间来计算，经过理论推导和实测可以。并且具有二极管的计算过程。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

了解MOS管的开通/关断原理你就会发现，使用PMOS做上管、NMOS做下管比较方便。使用PMOS做下管、NMOS做上管的电路设计复杂，一般情况下意义不大，所以很少采用。 下面先了解MOS管的开通/关断原理，请看下图： NMOS管的主回路电流方向为D→S，导通条件为VGS有一定的压差，一般为5~10V（G电位比S电位高）；而PMOS管的主回路电流方向为S→D，导通条件为VGS有一定的压差，一般为-5~-10V（S电位比G电位高），下面以导通压差6V为例。 NMOS管 使用NMOS当下管，S极直接接地（为固定值），只需将G极电压固定值6V即可导通；若使用NMOS当上管，D极接正电源，而S极的电压不固定，无法确定控制NMOS导通的G极电压，因为S极对地的电压有两种状态，MOS管截止时为低电平，导通时接近高电平VCC。当然NMOS也是可以当上管的，只是控制电路复杂，这种情况必须使用隔离电源控制，使用一个PMOS管就能解决的事情一般不会这么干，明显增加电路难度。

掌握Tanner软件的基本设定，L_edit的使用；掌握集成电路工艺与版图的图层关系，知道本课程使用的MOSIS/Orbit 2U SCNAMEMS工艺；对于N/PMOS管进行DRC和LVS的DRC步骤与方法

对于一位开关电源工程师来说，在一对或多对相互对立的条件面前做出选择，那是常有的事。而我们今天讨论的这个话题就是一对相互对立的条件。（即要限制主MOS管反峰，又要RCD吸收回路功耗） 　　　　在讨论前我们先做几个假设： 　　① 开关电源的工作频率范围:20~200KHZ； 　　② RCD中的二极管正向导通时间很短（一般为几十纳秒）； 　　③ 在调整RCD回路前主变压器和MOS管，输出线路的参数已经完全确定。 　　有了以上几个假设我们就可以先进行计算： 　　一﹑首先对MOS管的VD进行分段： 　　ⅰ，输入的直流电压VDC； 　　ⅱ，次级反射初级的VOR； 　　ⅲ，主MOS管VD余

首先对自己的应用背景做一下说明，我做的一套系统中电源供电部分需要两块电池切换供电，所以要做一个电子开关，这个开关的耗电要尽量低。一般用到的电子开关可以选择三极管，但是三极管的压降和漏电流是系统所不能接受的。

三个或三个以上MOS管并联。 类似大尺寸MOS管的拆分连接 源和漏的并联都用金属连接（叉指型）

最经典MOS管电路工作原理及详解没有之一，详细介绍NMOS,PMOS，经典MOS管电路分析

包含了比较全的一些常用库文件,常用51单片机以及C8051F系列，还有一些常用的IC

mos管驱动电流计算pdf,mos管开通过程的电流有点像给电容充电的过程（但不完全一样），他的电流是时时刻刻都变化的，如果你问的时候充电瞬间的最大电流，他可以达到1个或几个安培的电流，为此需要选的的驱动器最大电流最好是接近或大于这个值，不然影响开关速度，增加

MOS管饱和区的跨导gm